王阳元（1935.1.1-）
浙江宁波人。微电子学家，中国科学院院士。
1935年1月1日生于浙江省宁波市柴桥镇。1953年考入北京大学物理系，1958年毕业，留校任教。1978年至1983年，任北京大学微电子研究室主任。1982年至1983年在美国加州大学伯克莱分校任访问学者，从事合作研究。1985年晋升教授。1986年至1992年，任北京大学微电子研究所所长。1986年至1992年，先后兼任电子工业部微电子局副局长，机械电子工业部微电子与基础产品司副司长，全国ICCAD专家委员会主任、全国ICCAT专家委员会主任、全国集成电路产品开发专家委员会主任等职。1986年任微米/纳米加工技术国家重点实验室主任。1995年当选为中国科学院院士。2000年当选为美国IEEE会员, 英国IEE会员。2002年任北京大学微电子研究院院长兼北京大学微电子学系主任。2005年任中芯国际集成电路制造有限公司董事长。
王阳元长期从事微电子领域新器件新工艺和新结构电路的研究，主要成就和贡献：
一．微电子新器件新工艺新结构电路及物理基础研究
1．系统研究了多晶硅薄膜氧化动力学和电学性质，提出了“应力增强”氧化模型，引入了多晶硅氧化的特征参量和工程应用方程，将描述单晶硅氧化的Deal-Grove方程推广到多晶硅氧化；提出了多晶硅薄膜掺杂浓度与截流子迁移率的关系，发现在中等掺杂范围内有一极小值的同时在高掺杂端有一极大值。
2．系统研究了Si-SiO2界面系统，发展出“Si-SiO2系统可动离子动力学性质研究的新计算方法”和“磷硅玻璃对Si-SiO2系统可动离子纯化度的新的检测方法”。后与谭长华教授和许铭真教授合作，研究成功可同时检测Si-SiO2系统新生陷阱电荷三个基本物理参量的新方法，已被Motorola等公司应用于预测器件和电路的寿命。
3．研究了多种新器件，发展了相应的新器件模型。指导博士研究生提出新的多晶硅发射极超高速器件模型，考虑界面态的影响，科学解释了器件的温度效应，被国际同行列为代表性的模型之一；研究SOI/CMOS新型器件，考虑了浮体效应等多种因素，修正了SPIE模型，开发出模拟软件，在海内外推广应用，并研制成功电路在航天等领域试用；提出高速低功耗SOI MOS-双极混合管（GCHT）的新结构和相应的物理模型，获发明专利，并被国际同行多次引用；近年来承担国家重大基础研究（973）和“863”国家重大专项研究工作，指导博士研究生开展多种30-50nm器件新结构研究，研制成功多种新结构器件。
二．开展硅基微机电系统（MEMS）研究
针对我国MEMS研究工作的薄弱环节，从基础层次提升MEMS工艺和设计技术，领导北京大学国家级微米/纳米加工技术重点实验室开展适应多种MEMS器件研发需要的工艺平台和与集成电路设计兼容的设计平台研究，于2003年在该实验室建立了我国第一个与集成电路设计兼容的微机电系统设计平台和加工平台，研制成功五种体硅和硅表面加工工艺，开发了MEMS单元库，有6项技术创新，均具有自主知识产权。主持研制成功了硅加速度计，硅陀螺和RF开关等十多种MEMS器件，并在传感器方面开始产业化。
三．注重产业化，长期致力于发展我国微电子产品的技术基础
20世纪70年代，主持研制成功我国第一块三种类型的MOS 1024位随机存储器，成为我国硅栅N沟道技术开拓者之一，获1978年全国科学大会奖。
20世纪80年代，研究深亚微米多晶硅/硅化物自对准CMOS电路，开发出一系列亚微米和深亚微米集成电路工艺技术和器件结构。
20世纪90年代，与张利春教授等合作研究多晶硅超高速双极电路。
20世纪80年代至90年代，作为全国ICCAD专家委员会主任，组织研制成功我国第一个大型集成化ICCAD系统，为我国集成电路设计业的发展奠定了重要技术基础。该项目获1993年国家科技进步一等奖。
2000年，作为创始人之一，创建中芯国际集成电路制造有限公司，使我国微电子产业技术提升了4代。
近年来，联合中芯国际和有关高校共同开发65-90nm的超深亚微米集成电路技术，与世界先进水平接轨。
曾获得全国科学大会奖、国家技术发明三等奖、国家教委科技进步一等奖、北京市科技进步一等奖、信息产业部科技进步二等奖等国家和部委级奖励16次，持有发明专利8项，实用新型专利3项。
王阳元长期从事微电子教学工作，为北京大学微电子学科发展成为全国重点学科做出了重大贡献，培养了大批青年人才。
共发表学术论文230余篇，著作6部。
主要参考文献：
1．何梁何利奖 2003，科学出版社，2003年；
2．王阳元 生命不息 造“芯”不止，中华儿女（海外版），2005年第4期。
