褚君浩（1945.3～），江苏宜兴人。红外物理学家。2005年当选为中国科学院院士。中国科学院上海技术物理研究所研究员。1985年加入九三学社。第十四届九三学社上海市委副主委。
褚君浩，男，1945年生，博士，研究员、博士生导师，中国科学院院士，1993～2003年任红外物理国家重点实验室主任，现任中国科学院上海技术物理研究所学位委员会副主任，华东师范大学教授，《红外与毫米波学报》主编。长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。
褚君浩发现窄禁带半导体碲镉汞带间光跃迁本征吸收光谱，发展了碲镉汞能带结构理论和光跃迁理论；提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合；建立窄禁带半导体表面二维电子气子能带结构理论；发现HgCdTe的带间跃迁、杂质跃迁等基本光电跃迁特性，提出吸收系数、折射系数等多个表达式，确定了材料器件的光电判别依据；解决了碲镉汞薄膜材料和焦平面列阵器件研制中涉及的有关重要基础问题；发展了碲镉汞材料器件设计理论。开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究，研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。
褚君浩发表学术论文316篇，出版《窄禁带半导体物理学》专著一本。研究结果被美国依里诺依大学编入软件包，被美国空军研究实验室、英国菲力浦研究实验室等二十多个单位作为碲镉汞材料器件和相关理论和实验研究的依据。碲镉汞带间跃迁本征吸收光谱等14项研究结果作为标准数据和关系式，被写入国际上权威科学手册：“Landoldt-Boerstein科学技术中的数据和函数关系”III/41B卷(1999年，德国Springer出版)。美国学术界在评论褚君浩研究组的工作时写道：“现在他们不仅已经赶上世界，并且在一些领域走在前面”。研究结果还被大段引入美国《固体光学常数手册》、英国《窄禁带镉基化合物的性质》、荷兰《混晶半导体光学性质》、前苏联《半导体光谱和电子结构》等著作。美国“材料学会通报”和美国“现代薄膜和表面技术”杂志分别发表专文介绍这些结果。
褚君浩曾经获得国家自然科学奖三次（1987年四等奖、1993年三等奖、2005年二等奖）、中国科学院自然科学一等奖1项、二等奖2项、中国科学院科技进步一等奖1项、上海市科技进步一、二等奖各1项。他于2004年获得国家重点实验室计划先进个人奖、国家973计划先进个人奖。褚君浩领导红外物理国家重点实验室成绩显著。他担任红外物理国家重点实验室主任期间，实验室在1997年和2002年国家评估中两次评为优秀，成为连续四次评为-的实验室。他是国家自然科学基金创新研究群体学术带头人。
褚君浩培养博士生30余名，已经获得博士学位22名，其中有两名获得全国百篇优秀博士论文奖。2004年评为国家重点实验室计划先进个人、国家973计划先进个人。褚君浩是上海市红外与遥感学会理事长，中国物理学会光物理专业委员会副主任，现任第十届全国人大代表。
